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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2386
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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