RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14200
Wokół strony 1.35 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
19200
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2558
2725
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link