RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
70
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
70
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2187
1934
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link