RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
4276
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link