RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3809
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link