RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
72
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1728
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link