RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
43
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3506
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link