RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2903
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link