RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
86
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
86
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1220
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link