RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3201
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link