RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
70
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
70
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2519
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link