RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2267
2763
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link