RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3535
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link