RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3561
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link