RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
26
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
4124
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link