RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
26
Около 31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.7
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
16.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
26
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
23.7
Скорость записи, Гб/сек
16.4
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
4124
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link