RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
46
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3668
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link