RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
46
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3668
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link