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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,906.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,323.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
703
3001
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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