RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
50
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
50
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2512
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link