RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
55
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
55
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2701
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link