RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
24
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2852
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link