RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
56
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
56
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2455
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link