RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2193
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link