RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3001
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link