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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
25
读取速度,GB/s
4,651.3
17.2
写入速度,GB/s
2,256.8
13.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3001
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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