RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
3485
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link