RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2664
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link