RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
49
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3529
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link