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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
49
En -172% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
18
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3529
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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