RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
49
Autour de -172% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3529
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link