RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
43
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2830
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link