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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2830
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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