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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
65
读取速度,GB/s
11.8
15.8
写入速度,GB/s
7.3
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1932
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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