RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
65
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1932
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link