RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
73
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
73
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link