RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
73
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
73
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link