RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
19
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link