RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link