RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
92
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2261
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 994093 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link