RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
92
En -268% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2261
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link