RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
86
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
86
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
1658
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link