RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
53
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2285
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link