RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
53
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2285
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link