RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
70
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
70
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1971
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link