RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
104
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1948
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link