RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
104
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
64
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1948
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link