RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3391
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link