RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3391
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link