RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
45
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
17
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3704
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link